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JANTXV2N2219

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: JANTXV2N2219
Beschreibung: TRANS NPN 30V 0.8A
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Military, MIL-PRF-19500/251
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 800mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-205AD
Vce Sättigung (Max.) 1.6V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 800mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 10nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 150mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 30V

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