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2N3250A

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2N3250A
Beschreibung: TRANS PNP 60V 0.2A TO18
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 360mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-39 (TO-205AD)
Vce Sättigung (Max.) 500mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 50 @ 10mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

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