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JANTXV2N4150S

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: JANTXV2N4150S
Beschreibung: TRANS NPN 70V 10A TO-39
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Military, MIL-PRF-19500/394
Verpackung Bulk
Teilstatus Active
Leistung - Max 1W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-39 (TO-205AD)
Vce Sättigung (Max.) 2.5V @ 1A, 10A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10A
Strom - Collector Cutoff (Max) 10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 40 @ 5A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 70V

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