Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
JAN2N3637
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt: | JAN2N3637 |
| Beschreibung: | TRANS PNP 175V 1A |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/357 |
| Verpackung | Bulk |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 1W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Transistortyp | PNP |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-39 |
| Vce Sättigung (Max.) | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 1A |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 100 @ 50mA, 10V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 175V |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $13.57 | $13.30 | $13.03 |
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