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ULN2803APG,CN
| Hersteller: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt: | ULN2803APG,CN |
| Beschreibung: | TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Serie | - |
| Verpackung | Tube |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 1.47W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Transistortyp | 8 NPN Darlington |
| Basis-Teilenummer | ULN280*A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Frequenz - Übergang | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | 18-DIP |
| Vce Sättigung (Max.) | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 1000 @ 350mA, 2V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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