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ZXTDE4M832TA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: ZXTDE4M832TA
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8MLP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Transistortyp NPN, PNP
Basis-Teilenummer ZXTDE4M832
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 160MHz, 180MHz
Lieferanten-Gerätepaket 8-MLP (3x2)
Vce Sättigung (Max.) 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 3.5A, 2.5A
Strom - Collector Cutoff (Max) 25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 80V, 70V

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