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ZXTDC3M832TA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: ZXTDC3M832TA
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8MLP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Transistortyp NPN, PNP
Basis-Teilenummer ZXTDC3M832
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 165MHz, 190MHz
Lieferanten-Gerätepaket 8-MLP (3x2)
Vce Sättigung (Max.) 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 4A, 3A
Strom - Collector Cutoff (Max) 25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V, 40V

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ZXTD4591AM832TA
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