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TPH2010FNH,L1Q

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TPH2010FNH,L1Q
Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 198mOhm @ 2.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP Advance (5x5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 600pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 5.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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