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FQPF19N10

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: FQPF19N10
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie QFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 100mOhm @ 6.8A, 10V
Verlustleistung (Max.) 38W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220F
Gate Charge (Qg) (Max.) 25nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 780pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 13.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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