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IRFW630BTM-FP001

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFW630BTM-FP001
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max.) 29nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 720pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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