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EPC2051ENGRT

Hersteller: EPC
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: EPC2051ENGRT
Beschreibung: GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller EPC
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie eGaN®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) +6V, -4V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.5mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 5V
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket Die
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.3nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 280pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.7A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V

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