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BQ4015LYMA-70N

Hersteller: Texas Instruments
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: BQ4015LYMA-70N
Beschreibung: IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Texas Instruments
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Zugriffszeit 70ns
Speichergröße 4Mb (512K x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat NVSRAM
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall 32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Basis-Teilenummer BQ4015
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 32-DIP Module (18.42x42.8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns

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BQ4011LYMA-70N
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