Hersteller: | Texas Instruments |
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Produktkategorie: | Memory |
Datenblatt: | BQ4015LYMA-70N |
Beschreibung: | IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Texas Instruments |
Produktkategorie | Memory |
Serie | - |
Verpackung | Tray |
Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Zugriffszeit | 70ns |
Speichergröße | 4Mb (512K x 8) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Teilstatus | Obsolete |
Speicherformat | NVSRAM |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Basis-Teilenummer | BQ4015 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Lieferanten-Gerätepaket | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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