Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
BQ4011LYMA-70N
| Hersteller: | Texas Instruments |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | BQ4011LYMA-70N |
| Beschreibung: | IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Texas Instruments |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | - |
| Verpackung | Tray |
| Technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Zugriffszeit | 70ns |
| Speichergröße | 256Kb (32K x 8) |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Teilstatus | Obsolete |
| Speicherformat | NVSRAM |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
| Basis-Teilenummer | BQ4011 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannung - Versorgung | 3V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 70ns |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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