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NAND256R3A2BZA6E

Hersteller: Micron Technology Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: NAND256R3A2BZA6E
Beschreibung: IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Micron Technology Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie FLASH - NAND
Zugriffszeit 50ns
Speichergröße 256Mb (32M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 55-TFBGA
Basis-Teilenummer NAND256-A
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 55-VFBGA (8x10)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50ns

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