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TSM60N1R4CH C5G

Hersteller:	Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	TSM60N1R4CH C5G
Beschreibung:	MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Not For New Designs
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	1.4Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.)	38W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-251 (IPAK)
Gate Charge (Qg) (Max.)	7.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	370pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V