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TK60P03M1,RQ(S

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK60P03M1,RQ(S
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVI-H
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 500µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 6.4mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 63W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2700pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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