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STL19N60DM2

Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	STL19N60DM2
Beschreibung:	N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	STMicroelectronics
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	MDmesh™ DM2
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Digi-Reel®
Vgs (Max.)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Basis-Teilenummer	STL19
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	320mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (Max.)	90W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PowerFlat™ (8x8) HV
Gate Charge (Qg) (Max.)	21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V