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R6008ANX

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: R6008ANX
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220FM
Gate Charge (Qg) (Max.) 21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 680pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1234 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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