Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

R1LV0216BSB-5SI#B0

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: R1LV0216BSB-5SI#B0
Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM
Zugriffszeit 55ns
Speichergröße 2Mb (128K x 16)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Basis-Teilenummer R1LV0216B
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 44-TSOP II
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns

Auf Lager 0 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Schnäppchen-Funde

R1LV0208BSA-7SI#B0
Renesas Electronics America
$0
CY7C1440AV33-250BZXI
Cypress Semiconductor Corp
$0
CY7C2170KV18-400BZC
Cypress Semiconductor Corp
$0
CY14B101Q1A-SXI
Cypress Semiconductor Corp
$0
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
$0
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT
Micron Technology Inc.
$0