Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

CY7C2170KV18-400BZC

Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: CY7C2170KV18-400BZC
Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Cypress Semiconductor Corp
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM - Synchronous, DDR II+
Speichergröße 18Mb (512K x 36)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 165-LBGA
Taktfrequenz 400MHz
Basis-Teilenummer CY7C2170
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 165-FBGA (13x15)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 0 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Schnäppchen-Funde

CY14B101Q1A-SXI
Cypress Semiconductor Corp
$0
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
$0
MT29C1G12MAADYAKD-5 IT
Micron Technology Inc.
$0
MT29C1G12MAADVAML-5 IT
Micron Technology Inc.
$0
MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT
Micron Technology Inc.
$0
MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT
Micron Technology Inc.
$0