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HAT2165H-EL-E

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: HAT2165H-EL-E
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.3mOhm @ 27.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 33nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5180pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 55A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 2113 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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