Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

RQ3E080BNTB

Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	RQ3E080BNTB
Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	ROHM Semiconductor
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Digi-Reel®
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	15.2mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (Max.)	2W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket	8-HSMT (3.2x3)
Gate Charge (Qg) (Max.)	14.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	660pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V