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DMN1019USN-13

Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	DMN1019USN-13
Beschreibung:	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Diodes Incorporated
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Digi-Reel®
Vgs (Max.)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Verlustleistung (Max.)	680mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket	SC-59
Gate Charge (Qg) (Max.)	50.6nC @ 8V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	2426pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	9.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 2.5V