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MRF5812GR1

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: MRF5812GR1
Beschreibung: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 13dB ~ 15.5dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.25W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer MRF5812
Betriebstemperatur -
Frequenz - Übergang 5GHz
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Rauschfigur (dB-Typ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 200mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 50 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 15V

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