Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
MRF581G
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt: | MRF581G |
| Beschreibung: | RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Gewinnen | 13dB ~ 15.5dB |
| Serie | - |
| Verpackung | Bulk |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 1.25W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Micro-X ceramic (84C) |
| Transistortyp | NPN |
| Basis-Teilenummer | MRF581 |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Frequenz - Übergang | 5GHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | Micro-X ceramic (84C) |
| Rauschfigur (dB-Typ f) | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 200mA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 50 @ 50mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 18V |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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