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JAN2N5667S

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: JAN2N5667S
Beschreibung: TRANS NPN 300V 5A TO39
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Military, MIL-PRF-19500/455
Verpackung Bulk
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 1.2W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-39 (TO-205AD)
Vce Sättigung (Max.) 1V @ 1A, 5A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 5A
Strom - Collector Cutoff (Max) 200nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 25 @ 1A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 300V

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