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JAN2N5416S

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: JAN2N5416S
Beschreibung: TRANS PNP 300V 1A TO-39
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie Military, MIL-PRF-19500/485
Verpackung Bulk
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 750mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Transistortyp PNP
Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-39 (TO-205AD)
Vce Sättigung (Max.) 2V @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 50mA, 10V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 300V

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