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APTMC120TAM33CTPAG

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: APTMC120TAM33CTPAG
Beschreibung: MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Verpackung Bulk
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Teilstatus Active
Leistung - Max 370W
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall SP6
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 3mA (Typ)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 33mOhm @ 60A, 20V
Lieferanten-Gerätepaket SP6-P
Gate Charge (Qg) (Max.) 148nC @ 20V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2850pF @ 1000V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 78A (Tc)

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