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APTMC120AM16CD3AG
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | APTMC120AM16CD3AG |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 1200V 131A D3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Verpackung | Bulk |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 625W |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D-3 Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 5mA (Typ) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 20mOhm @ 100A, 20V |
| Lieferanten-Gerätepaket | D3 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 246nC @ 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 4750pF @ 1000V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 131A (Tc) |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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