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APTM120H140FT1G
| Hersteller: | Microsemi Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | APTM120H140FT1G |
| Beschreibung: | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Verpackung | Bulk |
| FET-Funktion | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 208W |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.68Ohm @ 7A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | SP1 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 145nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3812pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A |
Auf Lager 0 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $47.17 | $46.23 | $45.30 |
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