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APTC60HM70BT3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: APTC60HM70BT3G
Beschreibung: MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Microsemi Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie CoolMOS™
FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge)
Verpackung Tray
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 250W
Montagetyp Chassis Mount
Paket / Fall SP3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.7mA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket SP3
Gate Charge (Qg) (Max.) 259nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 700pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 39A

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