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IPU80R2K8CEAKMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IPU80R2K8CEAKMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V TO251-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 120µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 290pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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