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62-0136PBF

Hersteller:	Infineon Technologies
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	62-0136PBF
Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Infineon Technologies
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Obsolete
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	-
Vgs(th) (Max) @ Id	2.25V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TA)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	4.5mOhm @ 19A, 10V
Verlustleistung (Max.)	2.5W
Lieferanten-Gerätepaket	-
Gate Charge (Qg) (Max.)	44nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	3710pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	19A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V