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IPB90N04S402ATMA1

Hersteller:	Infineon Technologies
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	IPB90N04S402ATMA1
Beschreibung:	MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Infineon Technologies
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 95µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	2.1mOhm @ 90A, 10V
Verlustleistung (Max.)	150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	D²PAK (TO-263AB)
Gate Charge (Qg) (Max.)	118nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	9430pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V