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IPB80P03P4L04ATMA1

Hersteller:	Infineon Technologies
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	IPB80P03P4L04ATMA1
Beschreibung:	MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Infineon Technologies
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	OptiMOS™
FET-Typ	P-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	+5V, -16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 253µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	4.1mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (Max.)	137W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max.)	160nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	11300pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V