Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

GP1M009A050FSH

Hersteller:	Global Power Technologies Group
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	GP1M009A050FSH
Beschreibung:	MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Global Power Technologies Group
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Obsolete
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	850mOhm @ 4.25A, 10V
Verlustleistung (Max.)	39W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-220F
Gate Charge (Qg) (Max.)	24nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	1195pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	8.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V