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GP1M008A050PG

Hersteller:	Global Power Technologies Group
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	GP1M008A050PG
Beschreibung:	MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Global Power Technologies Group
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Obsolete
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	850mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (Max.)	120W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max.)	21nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	937pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V