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DMN1017UCP3-7

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: DMN1017UCP3-7
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 3-XDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 17mOhm @ 5A, 3.3V
Verlustleistung (Max.) 1.47W
Lieferanten-Gerätepaket X3-DSN1010-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 16nC @ 3.3V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1503pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 3.3V

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