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IPU50R1K4CEAKMA1

Hersteller:	Infineon Technologies
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	IPU50R1K4CEAKMA1
Beschreibung:	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Infineon Technologies
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	CoolMOS™ CE
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Not For New Designs
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 70µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	1.4Ohm @ 900mA, 13V
Verlustleistung (Max.)	42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PG-TO251-3
Gate Charge (Qg) (Max.)	8.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	178pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	3.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	13V