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NESG7030M04-A

Hersteller: CEL
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: NESG7030M04-A
Beschreibung: RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller CEL
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 14dB ~ 21dB
Serie -
Verpackung Bulk
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 125mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-343F
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 5.8GHz
Lieferanten-Gerätepaket M04
Rauschfigur (dB-Typ f) 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 5mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 4.3V

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