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EC4H09C-TL-H

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: EC4H09C-TL-H
Beschreibung: RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 15dB
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 120mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 4-UFDFN
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 26GHz
Lieferanten-Gerätepaket 4-ECSP1008
Rauschfigur (dB-Typ f) 1.3dB @ 2GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 40mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 70 @ 5mA, 1V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 3.5V

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