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SI7159DP-T1-GE3

Hersteller:	Vishay / Siliconix
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	SI7159DP-T1-GE3
Beschreibung:	MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Vishay / Siliconix
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
FET-Typ	P-Channel
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	7mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.)	5.4W (Ta), 83W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max.)	180nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	5170pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V