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SI4346DY-T1-E3

Hersteller:	Vishay / Siliconix
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	SI4346DY-T1-E3
Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Vishay / Siliconix
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	TrenchFET®
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Cut Tape (CT)
Vgs (Max.)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Obsolete
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	23mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (Max.)	1.31W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.)	10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	5.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V