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ESH2BHE3_A/I

Hersteller: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: ESH2BHE3_A/I
Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Tape & Reel (TR)
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DO-214AA, SMB
Kapazität - Vr, F 30pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket DO-214AA (SMB)
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 10µA @ 50V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 2A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 930mV @ 2A

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