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TPH3206LSB

Hersteller:	Transphorm
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	TPH3206LSB
Beschreibung:	GANFET N-CH 650V 16A PQFN
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Transphorm
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±18V
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Not For New Designs
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	3-PowerDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	180mOhm @ 10A, 8V
Verlustleistung (Max.)	81W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	PQFN (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max.)	6.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	720pF @ 480V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V