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TP65H035WS

Hersteller: Transphorm
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TP65H035WS
Beschreibung: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Transphorm
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 41mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 156W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 36nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1500pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 46.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 12V

Auf Lager 821 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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