Hersteller: | Transphorm |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TP65H035WS |
Beschreibung: | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Transphorm |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 156W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 36nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1500pF @ 400V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 46.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$18.59 | $18.22 | $17.85 |