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TPN2R805PL,L1Q

Hersteller:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	TPN2R805PL,L1Q
Beschreibung:	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	U-MOSIX-H
FET-Typ	N-Channel
Vgs (Max.)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Surface Mount
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 300µA
Betriebstemperatur	175°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs	2.8mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (Max.)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.)	39nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	45V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	3.2nF @ 22.5V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	139A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V