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TK35A65W,S5X

Hersteller:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	TK35A65W,S5X
Beschreibung:	MOSFET N-CH 650V 35A TO-220
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	DTMOSIV
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 2.1mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	80mOhm @ 17.5A, 10V
Verlustleistung (Max.)	50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.)	100nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	4100pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	35A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V