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TK20N60W,S1VF

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK20N60W,S1VF
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 155mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 165W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Gate Charge (Qg) (Max.) 48nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1680pF @ 300V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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