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TK11A50D(STA4,Q,M)

Hersteller:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt:	TK11A50D(STA4,Q,M)
Beschreibung:	MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
RoHS-Status:	RoHS-konform

Attribut	Attributwert
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	π-MOSVII
FET-Typ	N-Channel
Verpackung	Tube
Vgs (Max.)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion	-
Teilstatus	Active
Montagetyp	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs	600mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (Max.)	45W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max.)	24nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Eingangskapazität (Ciss) (Max.	1200pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V